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VSE011N10MS-G
N沟道,电流:45A,耐压:100V
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSE011N10MS-G
- 商品编号
- C3036347
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.685nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品特性
- 增强型
- 低导通电阻，栅源电压 (VGS) = 4.5 V 时的漏源导通电阻 (RDS(on))
- VitoMOS II 技术
- 100% 雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 无铅
- 无卤