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VSP007N06MS-G
65V,75A N沟道增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSP007N06MS-G
- 商品编号
- C3036354
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 965pF |
商品概述
这款先进的高压MOSFET旨在承受雪崩模式下的高能量，并实现高效开关。这款新型高能量器件还具备漏源二极管快速恢复时间。专为高压、高速开关应用而设计，如电源、转换器、电力电机控制和桥式电路。
商品特性
- 增强型
- 低导通电阻RDS(ON),VGS = 4.5 V 时
- VitoMOS II 技术
- 100% 雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- PDFN5x6
- 无铅
- 无卤
应用领域
-硬开关和高频电路-不间断电源-功率开关应用