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VSD011N10MS-G
耐压:100V 电流:58A
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- 描述
- 特性：增强模式。 极低导通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V。 VitoMOS® II 技术。 100% 雪崩测试。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSD011N10MS-G
- 商品编号
- C3036356
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
商品概述
HXY4020NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 30A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 23mΩ
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源