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VS6614GE

耐压:65V 电流:40A

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描述: 特性：增强模式。低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5V时。 VitoMOS II技术。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准
品牌名称: Vergiga(威兆)
商品型号: VS6614GE
商品编号: C3036359
商品封装: PDFN3333-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.085克(g)

商品参数

商品概述

Linko LKS045N012HS是一款低压功率MOSFET，采用先进的分裂栅沟槽技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间，特别适用于需要卓越功率密度和同步整流的应用。LKS045N012HS的击穿电压为45V，具有高鲁棒性雪崩特性。LKS045N012HS采用PDFN5*6封装。

商品特性

增强型
在 VGS = 4.5 V 时具有低导通电阻 RDS(on)
VitoMOS II 技术
100% 雪崩测试
无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
无铅
无卤

应用领域

服务器/电信
DC/DC转换器
高功率电源
电子工具
电池管理系统（BMS）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	65V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	31W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	900pF
	反向传输电容(Crss)	20pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	430pF