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VS40200AP
40V,50A N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：增强模式。 极低导通电阻。 快速开关和高效率。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VS40200AP
- 商品编号
- C3036348
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 118A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 184nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 660pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.05nF |
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