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WM02P06H
P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V，ID = -0.66A。 RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5V。 RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5V。 支持高密度PCB制造。 低电压驱动，适用于便携式设备。 先进的沟槽工艺技术。 ESD保护
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02P06H
- 商品编号
- C3030960
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
WMOS™ C4是威昂（Wayon）的第四代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ C4适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 最大结温（Tj）下，VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.33 Ω
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 无铅镀层、无卤
应用领域
- LED照明-充电器-适配器-个人电脑(PC)-液晶电视(LCD TV)-服务器