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RJK0855DPB-00#J5
80V, 30A, 11 mΩ max. N沟道MOSFET
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0855DPB-00#J5
- 商品编号
- C3029054
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 高速开关
- 低驱动电流
- 低导通电阻
- 导通电阻RDS(on)典型值为8.2 mΩ(在VGS = 10 V时)
- 无铅
- 无卤素
- 高密度贴装
应用领域
- 便携式设备负载开关-直流-直流转换器