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BFU730F,115实物图
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BFU730F,115

NPN 30mA 2.8V

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描述
NPN硅锗微波晶体管,采用塑料4引脚双发射极SOT343F封装,适用于高速、低噪声应用。
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
BFU730F,115
商品编号
C3029058
商品封装
SOT-343F​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)30mA
集射极击穿电压(Vceo)2.8V
耗散功率(Pd)197mW
属性参数值
直流电流增益(hFE)205
特征频率(fT)55GHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
射基极击穿电压(Vebo)1V
数量1个NPN

商品概述

采用塑料4引脚双发射极SOT343F封装的NPN型硅锗微波晶体管,适用于高速低噪声应用。

商品特性

  • 低噪声高增益微波晶体管
  • 在5.8 GHz下噪声系数(NF)为0.8 dB
  • 在5.8 GHz下最高功率增益为18.5 dB
  • 采用110 GHz fT硅锗技术

应用领域

  • DBS LNB的第二级LNA和混频级
  • 微波通信系统低噪声放大器
  • Ka波段DRO振荡器
  • 低电流电池供电应用
  • 微波驱动器/缓冲器应用
  • Wi-Fi/WLAN/WiMAX
  • GPS
  • RKE
  • AMR
  • ZigBee
  • LTE, cellular, UMTS
  • SDARS第一级LNA
  • 调频收音机
  • 移动电视
  • Bluetooth