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STW55NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:51A
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- 描述
- 这款具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。该创新型器件采用全新条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW55NM60ND
- 商品编号
- C34349
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：51A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 25.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5800pF @ 50V
功率 - 最大值：350W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：51A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 25.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5800pF @ 50V
功率 - 最大值：350W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3
优惠活动
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