温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP9NK50Z
1个N沟道 耐压:500V 电流:7.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,500V,7.2A,850mΩ@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP9NK50Z
- 商品编号
- C38617
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
SuperMESH™ 系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用场景下具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体包括创新型 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 0.72 Ω
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷极小
- 极低的本征电容
- 极佳的制造重复性
应用领域
- 大电流、高速开关
- 非常适合离线电源、适配器和功率因数校正（PFC）
- 照明
相似推荐
其他推荐