STP9NK50Z
1个N沟道 耐压:500V 电流:7.2A
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描述
N沟道,500V,7.2A,850mΩ@10V
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP9NK50Z商品编号
C38617商品封装
TO-220包装方式
盒装
商品毛重
2.74克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 7.2A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V,3.6A | |
功率(Pd) | 110W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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