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STN1HNK60
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.4A
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- 描述
- N沟 600V 0.4A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STN1HNK60
- 商品编号
- C39303
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23.5pF |
商品概述
SuperMESHTM 系列是对意法半导体(ST)成熟的基于条形结构的 PowerMESHTM 布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外,还特别注重确保该系列在最严苛的应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的高压 MOSFET 全系列产品,其中包括具有革新意义的 MDmeshTM 产品。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 8 Ω
- 极高的 dv/dt 能力
- 改进的 ESD 能力
- 100% 雪崩测试
- 全新的高压标杆
- 栅极电荷最小化
应用领域
- 低功率电池充电器
- 开关模式低功率电源(SMPS)
- 低功率镇流器、紧凑型荧光灯(CFL)
- XC6SLX16-2FTG256C
- HK23F-DC12V-SHG
- 25121WF150KT4E
- 25121WF330KT4E
- 25121WF390KT4E
- B240A
- MPS2222A(RANGE:200-300)
- 25121WJ0473T4E
- 0201CG2R2C500NT
- ISO3088DWR
- 25121WJ0200T4E
- AO4806
- 906-162A1011D10200
- 904-142A2021S10100
- 908-261A2021S10100
- 910-151A2022S10100
- 901-132A1013D10110
- 901-131A1011D10100
- 905-151A1011D10100
- 903-241A1021D10100
- 905-161A1011D10100