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STD2HNK60Z-1
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- N沟道,600V,2A,4.8Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD2HNK60Z-1
- 商品编号
- C44206
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESHTM技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESHTM布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 栅极电荷最小化
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 改进的ESD能力
- 新的高压基准
应用领域
- 开关应用