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STD60NF06T4

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:60A

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  • 描述

    N沟 60V 60A

  • 品牌名称ST(意法半导体)
  • 商品型号

    STD60NF06T4
  • 商品编号

    C46132
  • 商品封装

    TO-252-2(DPAK)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.475克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@10V,30A
属性参数值
功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)66nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.81nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1810pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:D-Pak

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