STD60NF06T4
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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描述
N沟 60V 60A
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STD60NF06T4商品编号
C46132商品封装
TO-252-2(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.475克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V,30A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 110W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 66nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.81nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1810pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:D-Pak
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1810pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:D-Pak
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