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AP65N06NF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP65N06NF

60V,电流:65A,耐压:60V

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商品型号
AP65N06NF
商品编号
C3011335
商品封装
PDFN-8(5x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)18.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.1821nF@50V
反向传输电容(Crss)4.1pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AP30N06DF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 30A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 36 mΩ(典型值:28 mΩ)

应用领域

  • LED灯
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF