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HYG080N10LS1C2

1个N沟道耐压:100V 电流:65A

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描述: 特性：100V/65A，RDS(ON) = 6.9 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 9.4 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。可靠且耐用。有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。电动工具应用
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HYG080N10LS1C2
商品编号: C3011225
商品封装: PDFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.21克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。

商品特性

表面贴装
提供卷带包装
动态dv/dt额定值
重复雪崩额定值
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V下规定RDS（on）
工作温度150°C

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	65A
	导通电阻(RDS(on))	13mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	71W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	30.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.07nF
	反向传输电容(Crss)	39pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	755pF