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DMN2040U-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2040U-7
- 商品编号
- C3009955
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 667pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.79 mA）
应用领域
- 开关稳压器