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IPB020N10N5实物图
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IPB020N10N5

N沟道,电流:176A,耐压:100V

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描述
特性:N沟道,针对FOMoss进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度为175℃。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
商品型号
IPB020N10N5
商品编号
C3009984
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.95克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)176A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3V@270uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)168nC@10V
输入电容(Ciss)12nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.81nF

商品特性

  • 第四代E系列技术
  • 低品质因数(FOM)R(on) × Q(g)
  • 低有效电容(C(o(er)))
  • 降低开关和传导损耗
  • 雪崩能量额定值(UIS)
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF