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HK32F103VET6 EVB
HK32F103VET6 EVB
- 描述
- HK32F103xCxDxE 系列使用 ARM Cortex-M3 内核，最高工作频率 120 MHz。内置大容量存储器：512 Kbyte Flash、64 Kbyte SRAM，可通过 FSMC 模块外挂最多 1 Gbyte 容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存储器，有 256 Mbyte 空间可存放指令并被片内 1 Kbyte 指令 Cache 缓存。内置的 CRC 模块提供数据完整性检查能力。
- 品牌名称
- HK(航顺)
- 商品型号
- HK32F103VET6 EVB
- 商品编号
- C3009983
- 商品封装
- LQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 61克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
HK32F103xCxDxE 系列使用 ARM Cortex - M3 内核，最高工作频率 120 MHz。内置大容量存储器：512 Kbyte Flash、64 Kbyte SRAM，可通过 FSMC 模块外挂最多 1 Gbyte 容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存储器，有 256 Mbyte 空间可存放指令并被片内 1 Kbyte 指令 Cache 缓存。内置的 CRC 模块提供数据完整性检查能力。内置丰富通信接口满足多种通信应用场景：5 路 USART/UART、3 路 SPI（支持 I2S 协议）、1 路 SDIO、2 路 I2C、1 路 CAN 2.0 A/B 和 1 路 FS USB。内置 2 个高级 16 位 PWM 计时器（共 8 路 PWM 输出，其中 6 路带死区互补输出），4 个通用 16 位 PWM 计时器（共 16 路 PWM 输出），2 个 16 位的基本定时器。提供独立的 VBAT 电池电源域，当 VDD 主电源掉电时，RTC 模块可在 VBAT 电源供电下继续工作，VBAT 电池电源域提供 84 byte 备份寄存器。内置丰富模拟电路：3 个 12 位 ADC（共 25 路模拟信号输入通道，其中 2 路弱驱动信号输入通道和 1 路 5V 高压信号输入通道）、2 个 12 位 DAC、1 个温度传感器、1 个 0.8V 内部参考电压源、1 个低电压检测器（LVD）、1 个上电/下电复位（POR/PDR）电路和 1 个 VBAT 电源电阻分压器（分压器输出在片内与 ADC 相连）。支持丰富功耗模式，最低功耗模式下，芯片典型漏电电流小于 100 nA。工作于 -40°C 至 +105°C 的温度范围，供电电压 2.0V 至 3.6V，可满足绝大部分应用环境条件要求。完整的 HK32F103xC、HK32F103xD 和 HK32F103xE 系列产品包括从 64 脚至 100 脚的两种不同封装，根据不同封装形式，器件中外设配置不尽相同。
商品特性
- ARM Cortex - M3 Core 最高时钟频率：120 MHz
- 24 位 System Tick 定时器
- 支持 CPU Event 信号输入至 MCU 引脚，实现与板级其它 SOC CPU 的联动
- 双电源域：主电源 VDD 为 2.0V - 3.6V、备份电源 VBAT 为 1.8V - 3.6V，当主电源掉电时，RTC 模块可继续工作在 VBAT 电源下，VBAT 电源下提供 84 byte 备份寄存器
- 工作温度范围：-40°C ~ +105°C
- VDD 典型工作电流：
- 运行（Run）模式动态功耗：19.3 mA@120 MHz@3.3V
- 睡眠（Sleep）模式静态功耗：5.6 mA@120 MHz@3.3V（唤醒时间：1 个机器时钟周期）
- 停机（Stop）模式静态功耗：89.4 μA@3.3V（唤醒时间：10 μs）
- 待机（Standby）模式静态功耗：3.3 μA@3.3V（唤醒时间：150 μs）
- VBAT 典型工作电流（VDD 掉电）：
- VBAT RTC 开启模式的功耗：2.6 μA@3.3V
- VBAT RTC 关闭模式的功耗：2.1 μA@3.3V
- 512 Kbyte 的 Flash 存储器，当 CPU 主频不高于 24 MHz 时，支持 0 等待总线周期，具有代码安全保护功能，可分别设置读保护和写保护
- 最大 64 Kbyte 片内 SRAM
- FSMC 模块可外挂 1 Gbyte NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存储器（其中，256 Mbyte 的空间可以存放指令，可用于片内 Cache 缓存）
- CRC32 校验硬件单元
- 外部高速时钟（HSE）：支持 4 - 32 MHz 晶振，典型 8 MHz 晶振
- 外部低速时钟（LSE）：32.768 kHz 晶振
- 片内高速时钟（HSI）：8 MHz/28 MHz/56 MHz 可配置
- 片内低速时钟（LSI）：40 kHz
- PLL 时钟
- 复位方式：外部管脚复位、电源复位（POR/PDR）、看门狗（IWDG 和 WWDG）定时器复位、低功耗模式复位、软件复位
- 低电压检测（PVD）8 级检测电压门限可调，上升沿和下降沿可配置
- 通用输入输出端口（GPIO）：
- 64 脚封装提供 51 个 GPIO 引脚，100 脚封装提供 80 个 GPIO 引脚
- 所有 GPIO 引脚可配置为外部中断输入，内置可开关的上、下拉电阻
- 支持开漏（Open - Drain）输出
- 支持施密特（Schmitt）迟滞输入
- 输出驱动能力超高、高、中、低四档可选，提供最高 40 mA 驱动电流
- 数据通讯接口：5 路 USART/UART（USART1/2/3，UART4/5）、3 路 SPI（均支持 I2S 协议）、2 路 I2C、1 路 SDIO、1 路 CAN 2.0 A/B、1 路全速 USB
- 定时器及 PWM 发生器：
- 高级定时器：TIM1/TIM8（6 路带死区互补 PWM 输出）
- 通用定时器：TIM2/TIM3/TIM4/TIM5（16 位定时器）
- 基本定时器：TIM6/TIM7（支持 CPU 中断、DMA 请求和 DAC 转换触发）
- 片内模拟电路：
- 3 个 12 位 3 MSPS ADC（共 25 路模拟信号输入通道；其中 2 路弱驱动信号输入通道和 1 路 5V 高压信号输入通道），支持双 ADC dual - mode 模式，采样率最高 6 MSPS
- 2 个 12 位 DAC
- 1 个温度传感器
- 1 个 0.8V 内部参考电压源
- 1 个 VBAT 电源电阻分压器（分压器输出在片内与 ADC 相连，实现 VBAT 电源电压监控）
- 2 个独立 DMA 控制器：DMA1 和 DMA2，DMA1 提供 7 路通道，DMA2 提供 5 路通道，支持 Timer、ADC、SPI、I2C、USART、UART 等多种外设触发
- CPU 调试及跟踪接口：
- SW - DP 两线调试端口
- JTAG 五线调试端口
- ARM DWT、FPB、ITM、TPIU 调试追踪模块
- 单线异步跟踪数据输出接口（TRACESWO）
- 四线同步跟踪数据输出接口（TRACED[3]
应用领域
- 工业应用，如可编程控制器、打印机、扫描仪等
- HMI 人机音视频多媒体交互
- 图形显示设备，如广告显示
- 语音识别设备
- 安全监控设备
- 电机驱动和调速控制
- 物联网低功耗传感器终端，如运动手环等
- 无人机飞控、云台控制
- 玩具产品
- 家用电器
- 智能机器人
- 智能手表