温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LN8322SR-G
30V半桥栅极驱动器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- LN8322SR-G
- 商品编号
- C3008046
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~13.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 16ns；15ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 传播延迟 tpLH | 30ns；25ns | |
| 传播延迟 tpHL | 13ns；12ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
商品概述
LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。内建死区自适应功能，可以适应更多规格MOSFET，同时简化设计的繁琐。采用SOP-8/ESOP-8、MSOP-8、DFN22-8、DFN33-8等封装形式，给方案设计带来更多的选择。
商品特性
- 电源电压工作范围为4.5V~13.2V
- 内置自举二极管
- 兼容3.3V和5.5V PWM输入
- UVLO时EN端输出低电平
- 内建死区自适应功能来防止FET交叉导通
- EN端可同时关断上下两个MOSFET
- VCC欠压锁死功能
- 采用SOP-8/ESOP-8、DFN22-8、DFN33-8和MSOP8封装
- 绿色环保无卤，满足ROHS标准
应用领域
- 半桥/全桥转换器
- 同步降压、升降压拓扑
- 电子烟、无线充MOSFET驱动器