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DMN1054UCB4-7
1个N沟道 耐压:8V 电流:4A
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- 描述
- DMN1054UCB4是一款沟槽式MOSFET，旨在最大限度地降低导通损耗并实现超快速开关，非常适合高效功率传输。采用芯片级封装（CSP），通过将低热阻与单位占位面积的极低导通电阻RDS(ON)相结合来提高功率密度。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1054UCB4-7
- 商品编号
- C2983694
- 商品封装
- X1-WLB0808-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 908pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 127pF |
商品特性
- 采用最低导通电阻的沟槽CSP技术
- RDS(ON) = 35 mΩ,可最大限度降低导通损耗
- Qg = 9.6 nC,实现超快开关
- VGS(TH)典型值为0.6 V,具有低开启电压
- CSP封装,占位面积为0.8mm × 0.8mm
- 高度为0.375mm,实现薄型设计
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-电池管理-负载开关
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