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HYG015N03LS2C2
1个N沟道 耐压:30V 电流:140A
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- 描述
- 30V/140A。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.5 mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG015N03LS2C2
- 商品编号
- C2983742
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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