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DMP22D4UFA-7B
1个P沟道 耐压:20V 电流:330mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP22D4UFA-7B
- 商品编号
- C2983692
- 商品封装
- X2-DFN0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低封装高度,最大封装高度为0.4mm
- 封装尺寸为 0.48 mm^2,比SOT23小16倍
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大为1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关
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