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CS3N120FA9R
1个N沟道 耐压:1200V 电流:3A
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- 描述
- CS3N120F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS3N120FA9R
- 商品编号
- C2982572
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.294克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.006nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59.8pF |
商品特性
- 40V/600A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.45 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.61 mΩ（典型值）
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用-逆变器系统电源管理-电池管理