IRF7351PBF
60V,电流:8.0A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7351PBF
- 商品编号
- C2980614
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。
商品特性
~~- 可提供卷带式表面贴装封装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-工作温度可达175°C-快速开关-易于并联