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IPT030N12N3G
N沟道,电流:237A,耐压:120V
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 100%雪崩测试。 针对低压电机驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 适用于电池管理开关应用。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT030N12N3G
- 商品编号
- C2980636
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 237A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 198nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 100%雪崩测试
- 针对低压电机驱动应用进行优化
- 针对电池供电应用进行优化
- 非常适合电池管理开关应用
- 适用于高频开关和DC/DC转换器
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
- 音频放大器-启动电路-保护电路-斜坡发生器-电流调节器-有源负载