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IRFR1010ZTRPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:91A
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- 描述
- HEXFET功率MOSFET利用最新的处理技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR1010ZTRPBF
- 商品编号
- C2980616
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 91A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
优惠活动
购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2000个/圆盘
总价金额：
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