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IPW60R045CP
N沟道,电流:60A,耐压:650V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R045CP
- 商品编号
- C2980615
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
MD20N50是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- TO247封装下全球最佳的导通电阻(Rds.on)
- 超低栅极电荷
- 极高的dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 符合JEDEC标准的工业级应用要求
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 硬开关开关电源(SMPS)拓扑