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MAX5078BATT+T

4A、20ns，MOSFET驱动器

描述: MAX5078A/MAX5078B高速MOSFET驱动器的源极和漏极可提供高达4A的峰值电流。这些器件在驱动5000pF容性负载时，具有20ns的快速传播延迟以及20ns的上升和下降时间。传播延迟时间被最小化，并且在反相和同相输入之间保持匹配
品牌名称: ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
商品型号: MAX5078BATT+T
商品编号: C2976358
商品封装: TDFN-6(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.35克(g)

商品参数

商品概述

MAX5078A/MAX5078B高速MOSFET驱动器的源极和漏极可提供高达4A的峰值电流。在驱动5000pF容性负载时，这些器件具有20ns的快速传播延迟以及20ns的上升和下降时间。传播延迟时间被最小化，并且反相和同相输入之间的延迟相匹配。高源极/漏极峰值电流、低传播延迟和散热增强型封装，使MAX5078A/MAX5078B非常适合高频和高功率电路。 MAX5078A/MAX5078B由4V至15V单电源供电，在不进行开关操作时，消耗40μA（典型值）的电源电流。这些器件具有内部逻辑电路，可防止在输出状态变化期间出现直通现象，从而在高开关频率下将工作电流降至最低。无论VDD电压如何，逻辑输入都能抵御高达+18V的电压尖峰。MAX5078A具有CMOS输入逻辑电平，而MAX5078B具有与TTL兼容的输入逻辑电平。 MAX5078A/MAX5078B具有反相和同相输入，在控制MOSFET方面具有更高的灵活性。它们采用6引脚TDFN（3mm x 3mm）封装，工作温度范围为汽车级的-40℃至+125℃。

商品特性

4V至15V单电源供电
4A峰值源极/漏极驱动电流
20ns（典型值）传播延迟
反相和同相输入之间的延迟匹配
VDD / 2 CMOS（MAX5078A）/TTL（MAX5078B）逻辑输入
0.1 x VDD（CMOS）和0.3V（TTL）逻辑输入迟滞
高达+18V的逻辑输入（无论VDD电压如何）
低输入电容：2.5pF（典型值）
40μA（典型值）静态电流
-40℃至+125℃工作温度范围
6引脚TDFN封装

应用领域

功率MOSFET开关
电机控制
开关模式电源
电源模块
DC-DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	4V~15V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	32ns
	下降时间(tf)	26ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.1V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	40uA