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STDRIVE601
三相半桥高压栅极驱动器
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- 描述
- 三半桥高压栅极驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STDRIVE601
- 商品编号
- C2961092
- 商品封装
- SO-28-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 350mA | |
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 9V~20V | |
| 上升时间(tr) | 120ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpLH | 85ns | |
| 传播延迟 tpHL | 85ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.4V | |
| 静态电流(Iq) | 950uA |
商品概述
采用BCD6s离线技术制造的高压器件。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET或IGBT的半桥栅极驱动器，适用于三相应用。 所有器件输出分别可吸入和提供350 mA和200 mA的电流。通过互锁和死区时间功能可防止交叉导通。 该器件每个输出都有专用输入引脚和一个关断引脚。逻辑输入与低至3.3 V的CMOS/TTL兼容，便于与控制设备接口。低端和高端部分之间匹配的延迟保证无周期失真，并允许高频操作。 它内置了一个具有先进SmartSD功能的比较器，该功能也集成在器件中，可确保对过流、过热等故障事件进行快速有效的保护。 低端和每个高端驱动部分都有专用的欠压锁定（UVLO）保护，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。 集成的自举二极管以及该IC的所有集成特性使应用PCB设计更简单、更紧凑，从而降低了总体物料清单成本。 该器件采用SO - 28封装。
商品特性
- 高达600 V的高压轨
- 驱动器电流能力：25 ℃时源电流200 mA，25 ℃时灌电流350 mA
- dV/dt瞬态抗扰度±50 V/ns
- 栅极驱动电压范围从gV到20 V
- 总输入 - 输出传播延迟：85 ns
- 所有通道的传播延迟匹配
- 带迟滞的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 集成自举二极管
- 用于快速过流保护的比较器
- 智能关断功能
- 互锁和死区时间功能
- 专用使能引脚
- 低端和高端的欠压锁定（UVLO）功能
应用领域
- 三相电机驱动器
- 逆变器