温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STH320N4F6-6
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道40 V、1.1 mOhm典型值、200 A STripFET F6功率MOSFET，H2PAK-6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH320N4F6-6
- 商品编号
- C2961105
- 商品封装
- H2PAK-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.095nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.87nF |
商品概述
这些器件是采用具有新型沟槽栅极结构的STripFETTM F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的RDS(ON)。
商品特性
-通过AEC-Q101认证-极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用
相似推荐
其他推荐