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QH8MA4TCR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 小尺寸表面贴装封装 (TSMT8)。 无铅镀层，符合 RoHS 标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QH8MA4TCR
- 商品编号
- C2960942
- 商品封装
- TSMT-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载/电源开关-接口开关-逻辑电平转换