CY7C1021V33L-12ZCT
CY7C1021V33L-12ZCT
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- 商品型号
- CY7C1021V33L-12ZCT
- 商品编号
- C2955893
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 12ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 150mA | |
| 待机电流 | 300uA |
商品概述
CY7C1021V是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则将来自I/O引脚(I/O₁至I/O₈)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则将来自I/O引脚(I/O₉至I/O₁₆)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₁至I/O₈上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。该器件在未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₁至I/O₁₆)处于高阻态。CY7C1021V有400密耳宽的SOJ和标准44引脚的TSOP II封装形式。
商品特性
- 3.3V工作电压(3.0V - 3.6V)
- 高速
- tAA = 10 / 12 / 15 ns
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 低工作功耗(L版本)
- 540mW(最大值)
- 低CMOS待机功耗(L版本)
- 1.08mW(最大值)
- 未选中时自动掉电
- 上下位独立控制
- 提供44引脚TSOP II和400密耳SOJ封装
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