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CY7C1021V33L-12ZCT实物图
  • CY7C1021V33L-12ZCT商品缩略图

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CY7C1021V33L-12ZCT

CY7C1021V33L-12ZCT

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商品型号
CY7C1021V33L-12ZCT
商品编号
C2955893
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压3V~3.6V
属性参数值
读写时间12ns
工作温度0℃~+70℃
工作电流150mA
待机电流300uA

商品概述

CY7C1021V是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则将来自I/O引脚(I/O₁至I/O₈)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则将来自I/O引脚(I/O₉至I/O₁₆)的数据写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₁至I/O₈上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。该器件在未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₁至I/O₁₆)处于高阻态。CY7C1021V有400密耳宽的SOJ和标准44引脚的TSOP II封装形式。

商品特性

  • 3.3V工作电压(3.0V - 3.6V)
  • 高速
  • tAA = 10 / 12 / 15 ns
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
  • 低工作功耗(L版本)
  • 540mW(最大值)
  • 低CMOS待机功耗(L版本)
  • 1.08mW(最大值)
  • 未选中时自动掉电
  • 上下位独立控制
  • 提供44引脚TSOP II和400密耳SOJ封装

数据手册PDF