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CY7C1021D-10ZSXIKA

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1021D-10ZSXIKA
商品编号: C2955911
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1021V是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₁至I/O₈）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置；若高字节使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₉至I/O₁₆）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。从器件读取数据时，将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储单元的数据将出现在I/O₁至I/O₈上；若高字节使能（BHE）为低电平，则存储单元的数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₁至I/O₁₆）处于高阻态。CY7C1021V有400密耳宽的SOJ、标准44引脚TSOP II型和48球微型BGA封装。

商品特性

3.3V工作电压（3.0V - 3.6V）
高速
tₐₐ = 10 / 12 / 15 ns
采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
低有源功耗（L版本） — 576 mW（最大值）
低CMOS待机功耗（L版本） — 1.80 mW（最大值）
未选中时自动掉电
上下位独立控制
提供44引脚TSOP II和400密耳SOJ封装
提供48球微型BGA封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Mbit
	工作电压	3V~3.6V

	属性	参数值
	读写时间	10ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	500uA