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CY7C1021CV33-15VXIT引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1021CV33-15VXIT

CY7C1021CV33-15VXIT

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商品型号
CY7C1021CV33-15VXIT
商品编号
C2955919
商品封装
BSOJ-44​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.97V~3.63V
读写时间15ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流80mA
待机电流5mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1021CV33 是一款高性能CMOS静态RAM,组织为65,536字×16位。该器件具有自动断电功能,在未选中时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来实现。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O1至I/O8)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O9至I/O16)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。读取设备通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时保持写使能(WE)高电平来实现。如果字节低使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储器位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。如果字节高使能(BHE)为低电平,则存储器数据将出现在I/O9至I/O16上。输入/输出引脚(I/O1至I/O16)在设备未选中(CE高电平)、输出禁用(OE高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE高电平)或写入操作期间(CE低电平,WE低电平)置于高阻抗状态。

商品特性

  • 温度范围:商业级0°C至70°C,工业级-40°C至85°C,汽车级-40°C至125°C
  • 与CY7C1021BV33引脚和功能兼容
  • 高速:tAA = 8 ns(商业级和工业级),tAA = 12 ns(汽车级)
  • CMOS技术实现速度/功耗比
  • 低活动功耗:最大360 mW
  • 未选中时自动断电
  • 独立控制高位和低位字节
  • 提供44引脚TSOP II、400-mil SOJ、48球FBGA封装
  • 还提供无铅44引脚TSOP II、400-mil SOJ封装

数据手册PDF