CY7C1021CV33-15VXIT
CY7C1021CV33-15VXIT
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- 商品型号
- CY7C1021CV33-15VXIT
- 商品编号
- C2955919
- 商品封装
- BSOJ-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.97V~3.63V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 80mA | |
| 待机电流 | 5mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1021CV33 是一款高性能CMOS静态RAM,组织为65,536字×16位。该器件具有自动断电功能,在未选中时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来实现。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O1至I/O8)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O9至I/O16)的数据写入到地址引脚(A0至A15)指定的位置。读取设备通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时保持写使能(WE)高电平来实现。如果字节低使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储器位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。如果字节高使能(BHE)为低电平,则存储器数据将出现在I/O9至I/O16上。输入/输出引脚(I/O1至I/O16)在设备未选中(CE高电平)、输出禁用(OE高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE高电平)或写入操作期间(CE低电平,WE低电平)置于高阻抗状态。
商品特性
- 温度范围:商业级0°C至70°C,工业级-40°C至85°C,汽车级-40°C至125°C
- 与CY7C1021BV33引脚和功能兼容
- 高速:tAA = 8 ns(商业级和工业级),tAA = 12 ns(汽车级)
- CMOS技术实现速度/功耗比
- 低活动功耗:最大360 mW
- 未选中时自动断电
- 独立控制高位和低位字节
- 提供44引脚TSOP II、400-mil SOJ、48球FBGA封装
- 还提供无铅44引脚TSOP II、400-mil SOJ封装
- CY7C1021CV33-15VXI
- CY7C1021CV33-15VXC
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