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CY7C1021V33-15BAI引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1021V33-15BAI

CY7C1021V33-15BAI

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商品型号
CY7C1021V33-15BAI
商品编号
C2955899
商品封装
TFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间15ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流190mA
待机电流5mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1021V是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,其组织架构为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可显著降低功耗。写入操作通过将片选和写使能输入置为低电平来实现。若字节低使能为低,则数据从输入/输出引脚写入由地址引脚指定的位置。若字节高使能为低,则数据从输入/输出引脚写入由地址引脚指定的位置。读取操作通过将片选和输出使能置为低电平,同时将写使能保持为高电平来实现。若字节低使能为低,则由地址引脚指定的存储单元数据将出现在输入/输出引脚上。若字节高使能为高,则存储数据将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中、输出被禁用、字节高使能和字节低使能被禁用,或处于写操作期间时,输入/输出引脚处于高阻态。该器件提供400密耳宽的小外形J引脚封装、标准44引脚薄型小尺寸封装II型以及48球微型球栅阵列封装。

商品特性

  • 工作电压3.3伏
  • 高速访问时间10纳秒、12纳秒或15纳秒
  • 采用CMOS技术,实现速度与功耗的平衡
  • 低版本具有低工作功耗,最大值为576毫瓦
  • 低版本具有低CMOS待机功耗,最大值为1.80毫瓦
  • 未被选中时自动掉电
  • 可独立控制高字节和低字节
  • 提供44引脚薄型小尺寸封装II型和400密耳小外形J引脚封装
  • 提供48球微型球栅阵列封装

数据手册PDF