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STP4NK60Z

1个N沟道耐压:600V 电流:4A

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描述: N沟道,600V,4A,2Ω@10V
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STP4NK60Z
商品编号: C32449
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.74克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：510pF @ 25V
功率 - 最大值：70W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	2Ω@10V
	耗散功率(Pd)	70W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@50uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	26nC@10V
	输入电容(Ciss)	510pF
	反向传输电容(Crss)	13pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	67pF