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CYDM128A16-55BVXI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CYDM128A16-55BVXI
商品编号: C2953994
商品封装: VFBGA-100
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CYDM256A16、CYDM128A16、CYDM064A16、CYDM128A08、CYDM064A08是低功耗CMOS 4K、8K、16K x 16和8/16K x 8双端口静态随机存取存储器。这些器件包含仲裁方案，用于处理多个处理器访问同一块数据的情况。提供两个端口，允许对存储器中的任何位置进行独立、异步的读写访问。这些器件可以用作独立的16位双端口静态随机存取存储器，也可以将多个器件组合起来，用作32位或更宽的主/从双端口静态随机存取存储器。M/S引脚用于实现32位或更宽的存储器应用，无需单独的主器件和从器件或额外的分立逻辑。应用领域包括处理器间/多处理器设计、通信状态缓冲和双端口视频/图形存储器。每个端口都有独立的控制引脚：片选使能（CE）、读写使能（R/W）和输出使能（OE）。每个端口提供两个标志（BUSY和INT）。BUSY信号表示该端口正在尝试访问另一个端口当前正在访问的同一位置。中断标志（INT）允许通过邮箱在端口或系统之间进行通信。信号量用于从一个端口向另一个端口传递标志或令牌，以指示共享资源正在使用。信号量逻辑由八个共享锁存器组成。任何时候只有一侧可以控制锁存器（信号量）。控制信号量表示共享资源正在使用。每个端口的自动掉电功能由片选使能（CE）引脚独立控制。CYDM256A16、CYDM128A16、CYDM064A16、CYDM128A08、CYDM064A08采用100球0.5毫米间距球栅阵列（BGA）封装。核心和I/O电压将根据用户的电源电压为1.8V/2.5V LVCMOS/3.0V LVTTL。电源电压同时控制核心和I/O电压。

商品特性

真正的双端口存储单元，允许同时访问同一存储位置
4 / 8 / 16K × 16和8 / 16K × 8组织
高速访问：35 ns
超低工作功耗
- 活动状态：在55 ns时，ICC = 15 mA（典型值）
- 活动状态：在35 ns时，ICC = 25 mA（典型值）
- 待机状态：ISB3 = 2 μA（典型值）
占用空间小：采用6x6 mm 100引脚无铅fBGA封装
支持1.8V、2.5V和3.0V I/O
完全异步操作
自动掉电
主/从引脚选择
使用多个器件时，通过主/从片选可将数据总线扩展到32位
片上仲裁逻辑
包含信号量，允许端口之间进行软件握手
输入读寄存器和输出驱动寄存器
用于端口间通信的INT标志
独立的高字节和低字节控制
工业温度范围

应用领域

处理器间/多处理器设计
通信状态缓冲
双端口视频/图形存储器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	128Kbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	读写时间	55ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	15mA
	待机电流	2uA