CY7C1020CV33是一款高性能CMOS静态RAM，组织为32,768字×16位。该器件具有自动断电功能，在未选中时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则来自I/O引脚（I/O1至I/O8）的数据写入到地址引脚（A0至A14）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低，则来自I/O引脚（I/O9至I/O16）的数据写入到地址引脚（A0至A14）指定的位置。从设备读取通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时强制写使能（WE）为高电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O1至I/O8上。如果字节高使能（BHE）为低，则内存数据将出现在I/O9至I/O16上。当设备未选中（CE高）、输出禁用（OE高）、BHE和BLE禁用（BHE、BLE高）或写入操作期间（CE低，WE低）时，输入/输出引脚（I/O1至I/O16）处于高阻抗状态。CY7C1020CV33采用标准44引脚TSOP II型封装。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	512Kbit
	工作电压	2.97V~3.63V
	读写时间	15ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	85mA
	待机电流	10mA
	功能特性	自动掉电功能

CY7C1020CV33-15ZSXE

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商品特性

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