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CY62256VNLL-70ZXC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY62256VNLL-70ZXC
商品编号: C2954157
商品封装: TSSOP-28
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY62256VN系列由两个高性能CMOS静态RAM组成，组织形式为32K字×8位。通过低电平有效片选（CE）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低99%以上。低电平有效写使能信号（WE）控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时，八个数据输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将写入由地址引脚（A₀至A₁₄）上的地址所寻址的存储位置。读取器件时，通过选中器件并使能输出（CE和OE为低电平），同时WE保持无效或高电平。在此条件下，地址引脚上信息所寻址位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能（WE）为高电平，否则输入/输出引脚保持高阻状态。

商品特性

温度范围：商业级0℃至+70℃；工业级-40℃至+85℃；汽车A类-40℃至+85℃；汽车E类-40℃至+125℃
速度：70 ns
低电压范围：2.7 V至3.6 V
低有源功率和待机功率
借助CE和OE功能实现轻松的内存扩展
TTL兼容输入和输出
未选中时自动掉电
采用CMOS技术，实现最佳速度和功率
提供标准无铅和含铅28引脚（300密耳）窄体SOIC、28引脚TSOP - I和28引脚反向TSOP - I封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	256Kbit
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	读写时间	70ns
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	30mA
	待机电流	5uA