CY7C1049BV33-12ZC
CY7C1049BV33-12ZC
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- 商品型号
- CY7C1049BV33-12ZC
- 商品编号
- C2954592
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 200mA | |
| 待机电流 | 8mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1049BV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为524,288字×8位。通过低电平有效的片选信号(CE)、低电平有效的输出使能信号(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。向设备写入数据时,将片选信号(CE)和写使能信号(WE)置为低电平,此时8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₈)指定的位置。从设备读取数据时,将片选信号(CE)和输出使能信号(OE)置为低电平,同时将写使能信号(WE)置为高电平,此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在输入/输出引脚上。当设备未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚处于高阻态。CY7C1049BV33有标准的400密耳宽36引脚SOJ和44引脚TSOPII封装,采用中心电源和接地引脚布局。
商品特性
- 高速:访问时间tₐₐ = 15 ns
- 低工作功耗:最大504 mW
- 低CMOS待机功耗(商用L版本):最大1.8 mW
- 2.0V数据保持:2.0V保持时功耗660 μW
- 未选中时自动掉电
- TTL兼容输入输出
- 通过CE和OE功能轻松扩展内存
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