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CYD01S18V-133BBI引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CYD01S18V-133BBI

CYD01S18V-133BBI

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商品型号
CYD01S18V-133BBI
商品编号
C2954012
商品封装
LBGA-256​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压3.135V~3.465V
读写时间4ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流225mA
待机电流55mA
功能特性自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能

商品概述

FLEX18系列包括1兆位、2兆位、4兆位和9兆位流水线式、同步、真双端口静态RAM,采用高速、低功耗3.3V CMOS技术。提供两个端口,允许独立、同时访问内存中的任何位置。多个端口同时写入同一位置的结果未定义。控制、地址和数据线上的寄存器允许最小的建立和保持时间。在读操作期间,数据被寄存以减少周期时间。每个端口在输入地址寄存器上包含一个突发计数器。在外部分加载初始地址后,计数器将在内部递增地址。内部写脉冲宽度与R/W输入信号的持续时间无关。内部写脉冲是自定时的,以允许较短的周期时间。CE0为高或CE1为低一个时钟周期将使内部电路断电以降低静态功耗。需要一个周期使芯片使能断言以重新激活输出。附加特性包括:在地址线上回读突发计数器内部地址值、控制计数器回绕的计数器掩码寄存器、计数器中断(CNTINT)标志、在地址线上回读掩码寄存器值、重传功能、用于消息传递的中断标志、用于边界扫描的JTAG和异步主复位(MRST)。CYD09S18V器件在此系列中特性有限。

商品特性

  • 真双端口存储单元,允许同时访问同一内存位置
  • 同步流水线操作
  • 组织为1兆位、2兆位、4兆位和9兆位器件
  • 流水线输出模式允许快速操作
  • 0.18微米CMOS,用于速度和功耗
  • 高速时钟到数据访问
  • 3.3V低功耗
  • 工作电流低至225毫安(典型)
  • 待机电流低至55毫安(典型)
  • 用于消息传递的邮箱功能
  • 全局主复位
  • 两个端口上独立的字节使能
  • 商业和工业温度范围
  • 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
  • 256球FBGA(1毫米间距)
  • 计数器回绕控制
  • 内部掩码寄存器控制计数器回绕
  • 计数器中断标志指示回绕
  • 内存块重传操作
  • 在地址线上回读计数器
  • 在地址线上回读掩码寄存器
  • 两个端口上的双芯片使能,便于深度扩展
  • 无缝迁移到下一代双端口系列

数据手册PDF