CY7C421-20JXI

CY7C421是一款先进先出（FIFO）存储器，采用300密耳宽的SOJ、TQFP和PLCC封装，容量为512字×9位。每个FIFO存储器的结构使得数据按照写入的顺序依次读取。提供满标志和空标志以防止溢出和下溢。还提供了三个额外的引脚，便于在宽度、深度或两者上进行无限扩展。深度扩展技术可将控制信号从一个器件并行传输到另一个器件，消除了传播延迟的串行累加，从而不会降低吞吐量。数据的传输方式类似。

读写操作可以是异步的，每个操作的速率可达50MHz。当写信号（W（上划线））为低电平时进行写操作，当读信号（R（上划线））为低电平时进行读操作。当R（上划线）为高电平时，九个数据输出进入高阻态。

提供了一个半满（HF）输出标志，在独立和宽度扩展配置中有效。在深度扩展配置中，该引脚提供扩展输出（XO）信息，用于告知下一个FIFO其已被激活。

在独立和宽度扩展配置中，重传（RT）输入为低电平会使FIFO重传数据。重传期间，读使能（R）和写使能（W）必须都为高电平，然后使用R来访问数据。

CY7C421采用先进的0.65微米P阱CMOS技术制造。输入ESD保护大于2000V，通过精心布局和保护环防止闩锁。

• 异步先进先出（FIFO）缓冲存储器
• 512×9（CY7C421）双端口RAM单元
• 高速50MHz读写，与深度和宽度无关
• 低工作功耗：ICC = 35mA
• 空标志和满标志（独立模式下有半满标志）
• TTL兼容
• 独立模式下可重传
• 宽度可扩展
• PLCC、7×7 TQFP、300密耳模压SOJ封装
• 提供无铅封装
• 引脚与IDT7201和AM7201兼容，功能等效