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S29GL256P11FFI020
Gbit、512、256、128 Mbit、3V 页闪存，采用 90 nm MirrorBit 工艺技术
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- 描述
- 采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中编程最多32字/64字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
- 商品型号
- S29GL256P11FFI020
- 商品编号
- C2947464
- 商品封装
- LBGA-64
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.741克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 1uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 110ns | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；上电复位 |
- S29GL01GT11FHIV10
- S29GL01GS11FHIV10
- S29JL032J70TFI010
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- S29GL512S10DHI020
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- S29GL01GT11TFV010
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- S29GL01GT11FHIV10
- S29GL01GS11FHIV10
- S29JL032J70TFI010
- S25FS128SAGNFI100
- S29AL016J55TFIR10
- CY7C1041G30-10BVXI
- CYWUSB6935-48LTXC
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- CYW20737L
- CYW20736E
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- CYW20735PB1KML1G
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- CYW20707UA1KFFB1G