- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S29GL256P10FFI010
采用90 nm MirrorBit工艺技术的3V页式闪存，具有快速页面访问时间、写缓冲区、多功能I/O控制等特性
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- 商品型号
- S29GL256P10FFI010
- 商品编号
- C2947690
- 商品封装
- LBGA-64
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.741克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
- S25FL512SDSMFV010
- S25FL256LAGBHI020
- S29GL064N90FFIS20
- S29GL512S10DHI020
- S25FL128SAGNFA000
- S29GL01GT11TFV010
- S25FL064LABNFI010
- S25FL128LAGNFB010
- S29GL512S10DHI010
- S29GL512S11DHIV10
- S25FL256LAGBHM020
- S25FL064LABMFN010
- S25FL128SAGBHV200
- S25FL512SAGMFV010
- S70FL01GSDPMFI010
- S29GL512T10FHI020
- S29GL256S11TFIV10
- S25FL512SDPBHVC10
- S25FS128SAGMFV100
- S70FS01GSAGMFI010
- S26KL512SDABHI020
- CY9EF226PMC-GSE2
- CY9DF566MAEEQ-GTE1
- CY9DF126CPMC-GSE2
- CY9DF126BPMC-GSE2
- CY9DF125PMC-GSE2
- CY9DF125EPMC-GSE2
- CY9BFD16TBGL-GK7E1
- CY9BF618TPMC-GK7E1
- CY9BF617TBGL-GK7E1
- CY9BF616TBGL-GK7E1
- CY9BF568RPMC-GNE2
- CY9BF568RPMC-G-MNE2
- CY9BF568RBGL-GK7E1
- CY9BF568RBGL-GE1
- CY9BF568NPQC-G-JNE2
- CY9BF568NPMC-G-MNE2
- CY9BF568MPMC-GNE2
- CY9BF568MPMC-G-MNE2
- CY9BF568MPMC1-G-JNE2
- CY9BF567RBGL-GK7E1
- CY9BF567NPQC-G-JNE2