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ESD53101N-2/TR

单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

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描述: ESD53101N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD53101N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD53101N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD53101N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。
品牌名称: WILLSEMI(韦尔)
商品型号: ESD53101N-2/TR
商品编号: C2941807
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01克(g)

商品参数

商品概述

ESD53101N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。 ESD53101N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD53101N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。 ESD53101N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

商品特性

截止电压：5V
根据IEC61000 - 4 - 2（ESD）标准，每条线路的最大瞬态保护：±30 kV（接触放电）
IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：10A（8/20 μs）
超低电容：典型C_J = 1.1 pF
超低泄漏电流：典型l_R < 10 nA
低钳位电压：典型V_CL = 9.8V
固态硅技术

应用领域

USB接口
DVI接口
便携式电子设备
笔记本电脑

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	11V
	峰值脉冲电流(Ipp)	10A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	110W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压	8V
	反向电流(Ir)	10nA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	1.1pF