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DMG1012UW
N沟道 耐压:20V 电流:0.9A
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- 描述
- 特性：VDS为20V。RDS(ON) = 300mΩ(典型值) ,VGS = 2.5V。RDS(ON) = 250mΩ(典型值) ,VGS = 4.5V。ESD防护高达2KV。应用：负载/电源开关。接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- DMG1012UW
- 商品编号
- C2940609
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
WNM3008是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM3008无铅且无卤素。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V
- 栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) = 300mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) = 250mΩ(典型值)
- 静电放电(ESD)防护高达2KV
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换