温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPM3154NEX6
耐压:20V 电流:800mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：快速开关。 提供绿色环保器件。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。 负载开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM3154NEX6
- 商品编号
- C2940618
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 312mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和电流处理能力-低栅极电荷
商品特性
- 当VGS = -5 V时，RDS(ON)(典型值) = 40 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON)(典型值) = 42 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(ON)(典型值) = 55 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(ON)(典型值) = 76 mΩ
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装(SOT - 23)
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
- PWM应用-电源管理-负载开关