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TPM2021NEC3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM2021NEC3

耐压:20V 电流:0.9A

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商品型号
TPM2021NEC3
商品编号
C2940612
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on))500mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
输入电容(Ciss)45pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)6pF

商品概述

WPM3005 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WPM3005 无铅且无卤。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 20V
  • 栅源电压(VGS) = 2.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 300mΩ(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 250mΩ(典型值)
  • 静电放电(ESD)保护高达 2KV

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF