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BLM12P03-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BLM12P03-R

1个P沟道 耐压:30V 电流:24A

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描述
BLM10P03采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻[RDS(ON)]和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
品牌名称
BL(上海贝岭)
商品型号
BLM12P03-R
商品编号
C2924852
商品封装
PDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.167克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)8.4W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)270pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)290pF

商品特性

  • 高速开关
  • 小型封装(UMT6)
  • 超低压驱动(1.2V驱动)

应用领域

  • 开关

数据手册PDF