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BLP05N08G-B
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- BLP05N08G 是 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的双沟槽技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLP05N08G-B
- 商品编号
- C2924856
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 173.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷
- 导通电阻RDS(ON) < 65 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 85 mΩ（栅源电压VGS = 2.5 V）
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关
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